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广东ito铟靶材回收,诚信经营,优质服务

2025-08-02 02:45:01 56次浏览

价 格:面议

先进封装技术

应用:在芯片倒装焊(Flip Chip)中作为焊料或热界面材料,实现芯片与基板的电气连接和热传导。

特点:低熔点(156.6℃)和高可靠性,适用于精密电子器件的低温封装。

存储环境控制

温湿度:存储于干燥、恒温环境(温度 15~25℃,湿度≤40% RH),避免铟靶吸潮氧化(铟在潮湿空气中易生成 In₂O₃薄膜,影响溅射效率)。

防尘防潮:用铝箔或真空袋密封包装,存放于洁净柜中,防止灰尘附着或与其他化学物质接触。

溅射气体控制

气体纯度:使用高纯氩气(99.999% 以上),避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化(氧化铟导电性下降,易形成电弧放电)。

气压调节:

直流溅射(DC):气压通常为 0.1~10 Pa,低气压下溅射速率高但薄膜致密度低;高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。

射频溅射(RF):适用于绝缘基底,气压可略高于直流溅射,需根据薄膜厚度要求动态调整。

功率与温度管理

溅射功率:

铟的溅射阈值较低(约 10 eV),起始功率不宜过高(建议从 50 W 逐步递增),避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅(铟熔点仅 156.6℃,过热易造成靶材局部熔化,形成 “熔坑” 影响均匀性)。

直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²,射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。

靶材冷却:

采用水冷靶架(水温控制在 15~25℃),确保溅射过程中靶材温度低于 80℃(高温会导致铟原子扩散加剧,影响薄膜结晶质量)。

定期检查冷却水路是否通畅,避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。

被浏览过 1505586 次    版权所有:广东省锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(ID:35180840) 颜艳珍

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